| 型号： | IXTY08N100P | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | IXYS | 描述： | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IXTY08N100P PDF |  |
| 标准包装 | 75 |
| 系列 | Polar™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 800mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 20 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 11.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 240pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 42W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 包装 | 管件 |